挪威科技大学携手IBM开展研究 GaAs LED效率大幅提升

　　挪威科技大学的最新研究表明，单根纳米线的微小改变能够大幅度提升LED和太阳能电池的效率。来自挪威科技大学的研究员Dheeraj Dasa和Helge Weman正在与IBM进行合作，研究结果使得砷化镓LED或光电探测器的效率得以大幅度提升，而这要得力于研究人员在实验室中成功生长出来的六方晶体结构，或称作纤维锌矿结构。这一研究成果已发表在《自然通讯》期刊上。　　

　　挪威科技大学近年来在纳米线和石墨烯的研究方面取得了多项进展和突破。专业从事纳米线生长研究的人员在纳米线的生长过程中成功实现对晶体结构的控制。通过改变物质的晶体结构，即原子的位置，物质获得了全新的属性。研究人员已发现改变由砷化镓或其他半导体组成的纳米线的晶体结构的方法。

　　实验室的其他研究成果还包括在石墨烯材料上生长半导体纳米线等，并且已将研究成果转化为商业运作，由Helge Weman等主要研究人员共同建立了CrayoNano AS公司。Weman先生表示公司下一步将开展生长用于白光LED的氮化镓纳米线的业务。