英特尔凌动处理器 Z5xx 系列与系统控制器中枢

产品简介：
采用 45 纳米制程技术的低功耗英特尔® 凌动™ 处理器 Z530Δ 和 Z510Δ 拥有很高的性能功耗比。从带有 0.6 毫米球距的超纤巧 13x14 毫米封装、或者英特尔® 凌动™ 处理器 Z530P、Z520PTΔ、Z510PΔ 以及采用带有 1.0 毫米球距的 22x22 毫米大型封装的Z510PTΔ 中进行选择。
详细介绍：

规范:

采用 45 纳米制程技术的低功耗英特尔® 凌动™ 处理器 Z530Δ 和 Z510Δ 拥有很高的性能功耗比。从带有 0.6 毫米球距的超纤巧 13x14 毫米封装、或者英特尔® 凌动™ 处理器 Z530P、Z520PTΔ、Z510PΔ 以及采用带有 1.0 毫米球距的 22x22 毫米大型封装的Z510PTΔ 中进行选择。 这些单核处理器均经过英特尔® 系统控制器中枢（SCH）US15W 的验证，这款低功率的解决方案将英特尔® 图形媒体加速器 500、内存控制器和 I/O 控制器集中到尺寸为 22x22 毫米的单一封装中，或者选择采用 37.5x37.5 毫米封装的大型英特尔 SCH US15WP 和 US15WPT。该平台的总 TDP 低于 5 瓦，同时提供了嵌入式生命周期支持，是车载信息娱乐、医疗、零售、交易解决方案（零售亭、服务点终端）、游戏和工业控制等许多嵌入式市场的理想选择。大型设计方案有两个版本，分别面向商用和工业环境所需的温度范围，适用范围很广。

SCH US15W 的特色是支持高级 3D 图形和大量 I/O 功能，如 USB 2.0、SDIO 和 PCI Express。* 此外还能支持英特尔® 高清晰度音频和硬件视频解码加速、400/533 MHz CMOS 前端总线（FSB）、双显示器独立显示、低压差分信号（LVDS）和串行 DVO 显示端口，以及多达 2 GB 的最大内存（单通道，一到两个插槽）

平台亮点:
# 有两种封装尺寸可供选用。同上一代三芯片解决方案相比，新款小型双芯片平台的总占地面积降低了 80% 以上。大型封装适用于商用（0 到 70? C）和工业（-40 到 85? C）温度范围。
# 和上一代 65 纳米技术相比，45 纳米高 K 金属栅极制程技术能显著提高晶体管的密度。
# 支持基于阴影（shader）的技术和 2D、3D 及高级 3D 图形，以及高清晰度视频解码和图像处理功能。
# 英特尔® 超线程（HT）技术通过顺序管线计算方式（不包括 Z510）提供了很高的性能/功耗效率。
定购网址：  

产品介绍网址： http://edc.intel.com/Platforms/