突破工艺，联电45纳米SRAM芯片出

台湾地区的晶圆代工厂商联电已突破关键的45纳米工艺障碍，生产出了位单元尺寸小于0.25平方微米的SRAM芯片。为此，工程师应用了全部最先进的工艺设备，包括沉浸式光刻、超浅结、迁移率增强方法和低k电介质。联电计划明年试生产45纳米芯片。该公司表示，与其65纳米工艺相比，新式45纳米工艺的6晶体管SRAM单元尺寸缩小了50%，性能提高了30%。这都是45纳米工艺的优点。 

    随着芯片设计师的注意力转向45纳米，他们将需要解决设计规范缩小30%的问题。他们还必须面对多种工艺变化，并磋商棘手的制造缺陷。定时、功率、信号完整性、漏电流、热梯度和可靠性问题也将继续存在。 

    迄今为止，数家厂商披露了各自的45纳米工艺细节，包括英特尔、IBM、台积电和德州仪器。特许半导体、三星电子和英飞凌都在通过与IBM结盟来开发45纳米工艺。象其对手台积电一样，联电也采用了193纳米沉浸光刻扫描仪。联电表示，在其SRAM芯片中，它的低k薄膜取得了0.25的“k”系数。