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EUV进展差强人意 英特尔转用湿浸

发布日期:2006-11-24 来源:网络
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近日,英特尔技术与生产事业部副总裁兼元器件研究总监Mike Mayberry透露,由于超紫外线光刻技术(EUV)进展缓慢,英特尔不得不打算在32纳米节点领域采用湿浸式技术。

  Mayberry表示:“在这一年里,EUV技术并没有多大的改进。”EUV是一种面向32纳米及更高级节点的下一代光刻技术(NGL)。Mayberry指出,EUV仍然面临三个主要问题:合适的来源、无缺陷掩膜和抗蚀剂。整个行业都在努力试图解决这些问题,但一直没有成功。

  但是,EUV在最近却取得了很大的进展。8月,ASML Holding NV公司向纽约奥尔巴尼大学纳米科学和工程学院(CNSE)出售了世界首个EUV光刻工具。这一工具是用于研发的,而不是用于生产。奥尔巴尼大学表示:“ASML的这种名为Alpha Demo Tool (ADT)的工具造价6500万美元,是EUV技术开发和商业化道路上的重要一步。”同时,欧洲研发组织IMEC也宣布购买了ASML推出的首个EUV工具。

  这些“demo”版本的工具的初步结果暂时还不得而知。ASML公司首席科学家Bill Arnold表示:“这些设备暂时还没有投入运行,还在进行安装和修调。”

(本文来源:网络 责任编辑:expert)

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